在半导体产业中，功率半导体凭借自身独特的技术演进规律，在新能源汽车、光伏储能、消费电子等众多关键领域，发挥着不可替代的重要作用。长晶科技作为一家在功率半导体领域迅速崛起的新星企业，凭借一系列创新举措打破了国际垄断，填补了国内市场空白，推动了我国高端功率半导体领域的发展，实现了自身价值。
通过不断的产品完善，长晶科技已建立了丰富的产品门类。公司的核心产品分为成品（分立器件、电源管理IC）和晶圆两大类，产品范围丰富多样，横跨二极管、三极管、MOSFET、IGBT单管／模块、第三代半导体、以及以LDO、DC - DC、锂电保护为代表的电源管理IC产品，可满足消费级、工业级和车规级标准，支持客户一站式采购需求，为不同领域的客户提供了全面且优质的解决方案。
凭借技术创新这一核心驱动力，长晶科技在功率半导体领域不断突破技术瓶颈，取得了一系列显著成果。截至2025年7月底，公司拥有已授权的专利233件（其中发明专利78件），集成电路布图设计专有权113件，合计知识产权数量约394件。这些知识产权的积累彰显了公司在技术创新方面的领先地位。
作为重要创新成果之一，长晶科技推出的60V-150V SGT MOSFET系列产品，性能参数达到国际一线品牌水平，但价格更具竞争力。SGT MOSFET系列产品利用在栅极周围增加屏蔽层，显著降低了导通电阻与开关损耗，可广泛应用于电动工具、无人机等市场。此系列产品的推出成功填补了国内高端功率器件的技术空白，打破了国外品牌在该领域的长期垄断。
为了更好地完成创新研发，长晶科技一直密切关注市场需求。面对新能源汽车与光伏逆变器市场的爆发式需求，长晶科技在IGBT领域推出FST3.0产品。该产品采用微沟槽栅（1.6μm Pitch）与场终止技术，显著提升载流子密度，降低通态损耗与开关损耗，产品性能已达到国际第七代IGBT水平，成功应用于电动汽车充电桩市场，并与多家Tier 1、Tier 2整车厂建立长期合作关系。目前，长晶科技的IGBT模块已通过车企验证，进入部分车企供应链，对标国际品牌在车载OBC、电机驱动等场景中的应用。在光伏储能领域，长晶科技的IGBT产品同样是提升光伏系统效率的关键，可有效降低了能量损耗，提高了光伏电站的整体发电效率。
此外，在质量管理方面，长晶科技同样毫不松懈。近日成功斩获IATF 16949汽车质量认证，不仅彰显了长晶科技在质量管理方面的深厚底蕴，更为其在全球汽车半导体市场的布局奠定了坚实基础。
一直以来，长晶科技以产品质量为先，注重技术和产品创新，还通过产业并购与战略转型，构建了从芯片设计、制造到封装测试的全产业链布局。公司初期采用Fabless模式专注研发，随后向IDM模式转型，在双模式并行的背景之下，长晶科技得以精准控制产品质量和生产成本，提高市场响应速度，进一步增强了企业的核心竞争力。
作为功率半导体领域的后起之秀，长晶科技凭借创新技术、优质产品、全产业链布局和严格的质量管理，实现了从成立到崛起的逆袭。未来，长晶科技仍将砥砺前行，为中国乃至全球半导体产业的发展贡献更多力量。
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